炭化ケイ素 (SiC)
炭化ケイ素（SiC）は、第 3 世代のワイドバンドギャップ半導体材料です。{0}{1}高い降伏電界、高い熱伝導率、高い電子飽和ドリフト速度、優れた化学的および熱的安定性を特徴としています。パワーエレクトロニクス、RFデバイス、電気自動車、5G通信、産業用電源、航空宇宙などの分野で広く使用されています。その硬くて脆い性質により、高性能デバイスの製造において精密機械加工が重要なステップとなります。-
Hemei Company は、硬くて脆い材料の精密加工において深い技術的専門知識を持っています。当社は、SiC 材料に特化した効率的で安定した研磨および平坦化プロセスを開発しました。このプロセスにより、基板の準備からデバイス レベルの表面仕上げまで完全に制御可能な加工が可能になり、パワー モジュールやマイクロ波 RF デバイスなどのハイエンド アプリケーションにおける SiC の厳しい表面品質要件を満たします。-
申請要件
SiC 材料の研磨と表面処理の目的は次のとおりです。
表面粗さ (Ra) を 0.5 nm 未満に低減します。
表面平坦度 (TTV) 1 μm 以下を実現し、局所平坦度 (LTV) はこの値より優れています。
デバイス-レベルの電気的性能要件を満たすために、傷、微小な亀裂、-表面下の損傷のない表面を作成します。
4H-SiCや6H-SiCなどのさまざまなポリタイプと互換性があり、直径4インチから8インチまでのウェーハ処理をサポートします。
これらの目標を達成するために、Hemei のプロセスではカスタマイズされた接着システムと多段階の研磨手順を採用し、加工中の幾何学的精度と表面の完全性を確保しています。{0}
システム仕様
Hemei のモジュール式研磨システムは、さまざまなサイズや形状の SiC ウェーハ/結晶の処理をサポートします。コア システムには次のものが含まれます。
HSM-L/LP シリーズ ラッピング装置: 初期の材料除去と厚さの制御に使用されます。
HSM-CMP シリーズ化学機械研磨システム: 極めて滑らかで損傷のない-表面を実現するために使用されます。
主要なサブシステム:
ウェーハ/クリスタル{0}}固有のボンディング ユニット（WB）。
SJ/ASJシリーズ精密研磨治具。
C-ASJ ドライブ ヘッド高速- スピード研磨システム。
プロセスの流れ
接着と取り付け: SiC サンプルは、WB 接着ユニットを使用してキャリア プレートに一時的に接着され、その後研磨治具に取り付けられます。
粗研磨および中間研磨: プロセスの影響を受けた層を除去するために、HSM{0}}L 装置で制御された研削が実行されます。-
精密研磨: 最終研磨は HSM-CMP システムを使用して行われます。圧力、回転速度、スラリー流量などのパラメータはリアルタイムで調整され、ナノレベルの表面平滑性を実現します。-
典型的な結果
表面粗さ Ra < 0.5 nm。
全体の厚さの変動 (TTV) は 1 μm 以下、局所的な厚さの変動 (LTV) は 0.3 μm 以下。
材料除去速度: 0.5 - 2 μm/分 (調整可能)。
直径 8 インチ以下の SiC ウェーハに適しており、4H/6H- SiC などの一般的なポリタイプをサポートします。
概要
Hemei Company は、炭化ケイ素材料向けの完全かつ信頼性の高い研磨および平坦化ソリューションを提供します。このソリューションは、ナノ-レベルの表面品質と高い電気的性能を一貫して提供するため、パワー エレクトロニクス、RF 通信、新エネルギー車などのハイエンド分野における SiC の工業化とデバイス性能の向上をサポートします。-
